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  • 基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜

    基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜 将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 8片 将每个石墨烯膜连续转移到晶片上 我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的石墨烯覆盖率约为98% 石墨烯薄膜是连续的,具有小孔和有机残留物 每个石墨烯薄膜主要是单层(超过95%),偶尔有少量多层(低于5%的双层) 由于没有A-B堆叠

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:7140.25
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  • 德国2DNext大面积机械剥离2L/3L材料

    德国2D Next主要提供机械剥离的超大尺寸二维材料,可以提供在众多基底上的转移技术,如二氧化硅,蓝宝石,CVD金刚石等,可用材料包括MoS2,MoSe2,WS2,WSe2等,提供三种尺寸的机械剥离2L/3L材料,分别为50um,75um,100um

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:13520
    厂商性质:生产厂家
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  • CVD GaSe

    Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:6481.15
    厂商性质:生产厂家
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  • 超高纯 ZrS2粉末(1g)

    超高纯 ZrS2粉末(1g) 纯度:99.9999% 重量:1g 制备方法:使用再提纯后的超高纯 单质高真空密封烧结 用途:用于生长制备二维晶体材料

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:2000
    厂商性质:生产厂家
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  • 高纯 ZrSe2粉末(1g)

    高纯 ZrSe2粉末(1g) 纯度:99.9995% 重量:1g 制备方法:使用再提纯后的超高纯单质高真空密封烧结 用途:用于生长制备二维晶体材料

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:1000
    厂商性质:生产厂家
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  • 超高纯 ZrSe2粉末(1g)

    超高纯 ZrSe2粉末(1g) 纯度:99.9999% 重量:1g 制备方法:使用再提纯后的超高纯 单质高真空密封烧结 用途:用于生长制备二维晶体材料

    更新时间:2024-06-03
    产品价格:2000
    厂商性质:生产厂家
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